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厂商型号

2N3906RLRAG 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 200mA 40V PNP

内部编号

277-2N3906RLRAG

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:1845400
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:1845400
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:13
1+¥143.4021
10+¥141.3554
25+¥139.3368
50+¥129.2393
100+¥127.2199
250+¥113.0844
500+¥109.0456
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

2N3906RLRAG产品详细规格

规格书 2N3906RLRAG datasheet 规格书
2N3906 Datasheet
文档 Multiple Devices 30/Sept/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Product Discontinuation 30/Sept/2011
标准包装 2,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 400mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 10mA, 1V
功率 - 最大 625mW
频率转换 250MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
电流 - 集电极( Ic)(最大) 200mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 250MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 400mV @ 5mA, 50mA
标准包装 2,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
供应商设备封装 TO-92-3
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 10mA, 1V
其他名称 2N3906RLRAGOSTR
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 0.2 A
集电极 - 基极电压 40 V
集电极 - 发射极电压 40 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率(最大) 250 MHz
功率耗散 0.625 W
安装 Through Hole
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-92
引脚数 3
元件数 1
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 PNP
频率 250 MHz
删除 Compliant
集电极电流(DC ) 0.2 A
直流电流增益 60
Current,Collector 200mA
Current,Gain 30
PackageType TO-92
极性 PNP
PowerDissipation 1.5W
PrimaryType Si
Resistance,Thermal,JunctiontoCase 83.3°C/W
类型 GeneralPurpose
Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter 40V
Voltage,CollectortoBase 40V
Voltage,CollectortoEmitter 40V
Voltage,CollectortoEmitter,Saturation 0.4V
Voltage,EmittertoBase 5V

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    0512-68796728
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